擴散爐用作半導體器件和集成電路生產(chǎn)中進行半導體微粒擴散和氧化工藝的設備，是由耐高溫石英材料制成的管狀電阻加熱爐，在其主加熱段，電熱絲均勻環(huán)繞其上，可以完成硼擴散、磷擴散、氧化、退火等半導體材料的實驗與生產(chǎn)工藝。高溫爐

　　作為本例控制對象的擴散爐，其技術指標列舉如下：

　　硅片規(guī)格：4”，6”，8”。

　　溫度控制范圍;350一1250℃，瞬時可達1280℃。

　　恒溫區(qū)長度及精度：≤±1℃/300一800mm，300-1250℃;≤±0.5℃/300一800mm，800一1250℃。

　　爐溫單點穩(wěn)定性：≤±1℃/24h，300—1250℃;≤±0.5℃/24h，800—1250℃.

　　溫度重復性：≤±1℃。

　　升溫速率：O—15℃/min(1000℃以下)。

　　降溫透率，0—4℃/mim。

　　氣路：硼擴散、磷擴散各2路質(zhì)量流量計，氧化/退火管為3路質(zhì)量流量汁。

　　凈化工作臺凈化級別：100級(1000級廠房)。

　　它的工作溫度一般為數(shù)百度***千度，要求爐溫在一定的控制范圍內(nèi)保溫到規(guī)定的時間，而且擴散工藝曲線是多臺階的。

　　目前國內(nèi)熱擴散爐的控制很多仍然采用半導體器件控制，其缺點是：操作人員勞動強度大;不能自動定時;不能自動從一個溫控區(qū)進入另一個溫控區(qū);無法實現(xiàn)群控;PID參數(shù)不能自動調(diào)節(jié);溫控范圍受限。因此半導體行業(yè)需要對熱擴散爐的爐溫和保溫時間實現(xiàn)較精確的計算機控制、對通入擴散源的時間給予指示，而當熱耦斷開和擴散爐絲燒斷時能給予指示和報警，并能將控制結(jié)果子以記錄。

　　計算機用于溫度控制，在國內(nèi)已得到廣泛的府用，實例也很多。例如采用STD總線對熱擴散爐進行控制的系統(tǒng)，以及利用微型計算機作為控制核心的爐溫控制系統(tǒng)。

　　STD總線作為控制核心，顯然在價格上占有明顯優(yōu)勢，由出于它不能以漢字顯示，而月輸入操作較為復雜浙以不能滿足用戶對直觀簡易操作的要求。由于PC在性能提升的向時價格卻在不斷下降，因此在本例的控制系統(tǒng)中，使用的是計算機控制。